新 闻1: 英伟达与台积电伸开谈判,在好意思国坐褥Blackwell架构芯片 上个月,好意思国商务部最终敲定了台积电(TSMC)在亚利桑那州新建Fab 21面目标款项,授予高达66亿好意思元的平直拨款,以救助通盘园区好像650亿好意思元的开发开销。之前有 报谈 称,AMD如故与台积电达成了条约,将成为好意思国亚利桑那州晶圆厂首批客户,亦然继之后第二个大客户。苹果刻下在Fab 21使用N4P工艺试产A16芯片,据说效率很可以。 据TrendForce 报谈 ,与台积电伸开了谈判,很可能侍从苹果和
新 闻1: 英伟达与台积电伸开谈判,在好意思国坐褥Blackwell架构芯片
上个月,好意思国商务部最终敲定了台积电(TSMC)在亚利桑那州新建Fab 21面目标款项,授予高达66亿好意思元的平直拨款,以救助通盘园区好像650亿好意思元的开发开销。之前有 报谈 称,AMD如故与台积电达成了条约,将成为好意思国亚利桑那州晶圆厂首批客户,亦然继之后第二个大客户。苹果刻下在Fab 21使用N4P工艺试产A16芯片,据说效率很可以。
据TrendForce 报谈 ,与台积电伸开了谈判,很可能侍从苹果和AMD,成为亚利桑那州Fab 21的客户,下单坐褥基于Blackwell架构的芯片。诚然可以聘请在Fab 21坐褥最新的AI芯片,可是由于台积电通盘CoWoS产能皆在中国台湾,仍然要运且归完成封装职责。
Fab 21一期聘请了4/5nm工艺的坐褥线,经营在2025年上半年投产;二期工程原经营聘请3nm工艺的坐褥线,将鼓动至2nm工艺,瞻望在2028年投产,前两期工程加起来的总产能为每月5万片晶圆;新增三期工程将接受2nm或更先进的制程技巧,瞻望2030年之前投产。
跟着亚利桑那州Fab 21行将量产,台积电正在积极劝诱更多的好意思国客户,亚马逊AWS很可能也会在这里下单。近日亚马逊AWS 推出 了下一代AI芯片Trainium3,这将是其首款接受3nm工艺制造的芯片。有业内东谈主士裸露,亚马逊AWS有好奇景仰好奇景仰预订Fab 21二期的产能。
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之前Intel游说好意思商务部的一个意义即是,全好意思链坐褥,自主可控,好意思商务部亦然因此乐于游说在好意思芯片遐想厂商使用Intel代工。而NVIDIA这边似乎是发现了全好意思链的另一个替代决策——台积电的亚利桑那州晶圆厂。事实上,此前就如故有不少在好意思科技厂商寻求与台积电在好意思工场配合了,不知谈这会不会推动台积电在好意思工场的开发呢?
新 闻 2: 郭明錤:英伟达 GB300 / B300 AI 劳动器供应链遇挑战,AOS 5x5 DrMOS 出现严重过热问题
天风证券分析师郭明錤今天(12 月 17 日)发布投资相干敷陈,暗意英伟达正为 GB300 和 B300 开发测试 DrMOS 技巧,发现 AOS 的 5x5 DrMOS 芯片存在严重过热问题。这一问题可能影响系统量产经由,并转变市集对 AOS 订单的预期。
音尘称英伟达优先测试来自 AOS 的 5x5 DrMOS,一方面是增强对 MPS 的议价力以镌汰本钱,另一方面 AOS 领有更丰富的 5x5 DrMOS 遐想与坐褥申饬。
供应链音尘称导致 AOS 的 5x5 DrMOS 过热问题的原因,除了芯片本人以外,还源于系统芯片照看等其它方面的遐想不及。
郭明錤觉得要是 AOS 无法在规章时限内照看该问题,英伟达可能会谈判劝诱新的 5x5 DrMOS 供应商,GB300 / B300 系统也可能面对量产宽限的问题。
郭明錤觉得要是 5x5 过热问题无法改善,英伟达也可能会谈判使用 5x6 DrMOS,诚然本钱更高,但具备更佳的散热遵守,从而成心于 MPS(该公司在 5x6 遐想有技巧上风)。
IT之家简要先容下干系专驰名词:
英伟达正在经营于 2025 年中期推出其全新一代 AI 劳动器 ——“BlackwellUltra”GB300。这款劳动器不仅在性能上已毕了飞跃,更在散热系统上进行了前所未有的翻新,接受全水冷遐想,意在冲突 AI 算力的局限。
DrMOS(Driver-MOSFET)是一种将运转器和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)集成在一个芯片上的技巧。它主要用于电压调治器,能够提高电源系统的效率和性能。
AOS(Alpha and Omega Semiconductor Limited)是一家竖立于 2000 年的好意思国半导体公司,总部位于加利福尼亚州的硅谷。AOS 专注于遐想、开发和坐褥多样分建功率器件、宽禁带功率器件、电源照看 IC 和模块,包括功率 MOSFET、SiC 器件等。
MPS 是一家提供袖珍、高能效、易于使用的电源管和洽决决策的公司,主要期骗于电子系统中。该公司专注于电源照看集成电路(IC)的开发,尤其以其独有的 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技巧著称,能够已毕低导通电阻和高效率。MPS 的居品鄙俚期骗于多样电子斥地中,如通讯斥地、工业斥地和破费电子居品。
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NVIDIA顶端居品近期也遭受了一些问题,行动供电中枢组件的DrMOS在GB300 / B300的测试中遭受了过热的问题。其实按照咱们的思法在,还要多加几组DrMOS似乎就能照看,但行动劳动器居品,NVIDIA彰着有更多的考量,未必会有其他的替代决策吧。
新 闻3: RTX 5080挪动显卡规格或低于预期,英伟达经营配7680个CUDA中枢
CES 2025(外洋破费类电子居品博览会)将于2025年1月7日至10日,在好意思国拉斯维加斯会展中心举行。英伟达首创东谈主兼首席扩充官黄仁勋将在太平洋时候2025年1月6日18点30分 (北京时候2025年1月7日10点30分)发表主题演讲,瞻望将发布新一代Blackwell架构游戏GPU。除了桌面平台使用的零丁显卡外,很可能还会有挪动平台居品。
据Notebookcheck 报谈 ,英伟达为挪动平台旗舰型号配备了GB203芯片,包括RTX 5090和RTX 5080居品,最为高大的GB202芯片看来只会出当今桌面平台。RTX 5090和RTX 5080两者的唯独分别在于CUDA中枢数目不同,其中RTX 5080领有7680个CUDA中枢,略高于RTX 4080的7424个,不外比起最早传言的8192个要少了很多。
RTX 5090和RTX 5080皆将配备16GB显存,与台式机使用的零丁显卡同样,接受了最新的GDDR7。此外,RTX 5080的TGP为175W,与上一代居品换取。据说RTX 5080比起RTX 4080会有40%到60%的性能擢升,不外以CUDA中枢的数目、制造工艺、以及显存树立概述来看,这个数字似乎有点过于乐不雅。
此前有 报谈 称,Geforce RTX 50系列挪动显卡共有六款居品,隐敝了RTX 5050至RTX 5090型号。新一代居品莫得显存为6GB及以下的型号,容量为8GB起步,主流的三款居品皆是8GB显存,另外还有一款12GB显存和两款16GB显存的居品。
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挪动端的RTX 50显卡也有了新音尘,不外这次……嗯……看来NVIDIA这一代的能耗比确乎不可啊……这次曝光的5080的中枢边界,要比桌面端5070Ti还要小不少,看来这一代的挪动端性能又要塌了。不外谈判到本代竞品也弱的哀怜,AMD哪里曝光的桌面端跑分皆只须上一代的水平,Intel更是推出挪动端独显,也难怪NVIDIA敢摆烂了。
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